| 氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 孟婷,杨建文,张智翔,张群,谢汉萍.氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响[J].复旦学报(自然科学版),2016(6):766-771. |
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| 作者姓名： | 孟婷 杨建文 张智翔 张群 谢汉萍 |
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| 作者单位： | 1. 复旦大学材料科学系,TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海200433;2. 台湾交通大学光电工程学系,新竹30010 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61136004 |
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| 摘 要： | 本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6cm2·V-1·s-1,阈值电压为-0.5V,电流开关比为108.
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| 关 键 词： | a-IWO沟道层 薄膜晶体管 氧流量 |
Influence of Oxygen Flow Rates on a-IWO Thin Films and the Electrical Characteristics of a-IWO Thin Film Transistors |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-IWO thin film transistors oxygen flow |
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