|
|||||
|
|
| a-Si∶H 薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 | |
| 引用本文： | 陈城钊,方健文,林璇英.a-Si∶H 薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜[J].浙江师范大学学报(自然科学版),2002,25(3):246-249. |
| 作者姓名： | 陈城钊 方健文 林璇英 |
| 作者单位： | 1. 韩山师范学院,物理系,广东,潮州,521041 2. 浙江师范大学,数理与信息科学学院,浙江,金华,321004 3. 汕头大学,物理系,广东,汕头,515063 |
| 摘 要： | 利用固相晶化法获得多晶硅薄膜(退火温度700～800℃)，采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析。研究结果表明：晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加；并且退火后薄膜暗电导率提高了2～4个数量级。 |
| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 固相晶化法 α—Si：H薄膜 平均晶粒尺寸 退火温度 掺杂浓度 薄膜厚度 |
| 文章编号： | 1001-5051-(2002)03-0246-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月25 |
Polycrystalline silicon film obtained by solid-phase crystallization of a-Si:H film |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |