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室温电化学制备的SrWO_4多晶膜的团簇生长实验研究
引用本文:陈连平,余萍,肖定全,毕剑,金晓玲,杨祖念.室温电化学制备的SrWO_4多晶膜的团簇生长实验研究[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1).
作者姓名:陈连平  余萍  肖定全  毕剑  金晓玲  杨祖念
作者单位:四川大学材料科学与工程学院材料系 四川大学材料科学与工程学院材料系 成都
摘    要:采用室温恒电流电化学技术,在含Sr2 的碱性溶液中制备出了结晶良好的、形貌可控的Sr WO4多晶膜,研究了电流密度、电极间距和衬底的处理方式,对Sr WO4多晶膜的团簇生长的影响及产生的原因.SEM分析表明,在不同的条件下,多晶膜的团簇生长行为也会有所不同.实验结果表明电流密度是影响沉积膜形貌的最主要因素,当它降到0.05mA/cm2时团簇会消失,Sr WO4多晶膜呈现层状或近层状生长;电极间距也是影响沉积膜形貌的主要因素,当它达到4.5cm时团簇已经基本消失;衬底的粗糙程度也会影响沉积膜形貌,但相对于电流密度和电极间距来说,影响的程度要小得多.作者认为,生长团簇的出现是由于材料的结构特性、晶体生长的物理化学条件等综合因素的影响而产生的.

关 键 词:团簇  SrWO_4  多晶膜  室温电化学
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