| 等离子体吸收边对多层膜磁光克尔效应的影响 |
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| 引用本文： | 胡华安,何华辉.等离子体吸收边对多层膜磁光克尔效应的影响[J].华中科技大学学报(自然科学版),1996(9). |
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| 作者姓名： | 胡华安 何华辉 |
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| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 |
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| 摘 要： | 采用ＤＶ－Ｘα方法计算了ＹＩＧ及Ｂｉ－ＹＩＧ薄膜的电子结构，在能态密度的基础上，得出了导致法拉第效应的两种电荷转移跃迁．Ｂｉ３＋离子的掺入，增大了跃迁的振子强度，Ｂｉ６ｐ与Ｆｅ３ｄ形成具有较大自旋－轨道相互作用的耦合轨道．它们是Ｂｉ－ＹＩＧ的法拉第旋转角增大的原因．
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| 关 键 词： | DV－Xα方法 YIG薄膜 法拉第效应 |
On the Intensification Mechanism of the Faraday Effect in Bismuth Doped Yittrium Iron Garnet (Bi YIG) |
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| Hu Huaan Dept. of Solid State Electronics,HUST,Wuhan ,China. He Huahui.On the Intensification Mechanism of the Faraday Effect in Bismuth Doped Yittrium Iron Garnet (Bi YIG)[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1996(9). |
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| Authors: | Hu Huaan Dept of Solid State Electronics HUST Wuhan China He Huahui |
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| Institution: | Hu Huaan Dept. of Solid State Electronics,HUST,Wuhan 430074,China. He Huahui |
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| Abstract: | |
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