| MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究 |
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| 引用本文： | 韩军,冯雷,邢艳辉,邓军,徐晨,沈光地.MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究[J].科技创新导报,2012(4):708-711. |
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| 作者姓名： | 韩军 冯雷 邢艳辉 邓军 徐晨 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京工业大学电子信息与控制工程学院 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展“863”计划(2008AA03Z402);国家自然科学基金(61107025);北京市自然科学基金(4102003,4112006,4092007)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN(002)面峰值半高宽(FWHM)最窄为232"。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。
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| 关 键 词： | 金属有机物气相淀积(MOCVD) p型氮化镓(CaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 原子力显微镜(AFM) |
Investigation of effects of source flux on the properties of p-GaN flim grown by MOCVD |
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| HAN Jun,FENG Lei,XING Yan-hui,DENG Jun,XU Chen and SHEN Guang-di.Investigation of effects of source flux on the properties of p-GaN flim grown by MOCVD[J].Science and Technology Consulting Herald,2012(4):708-711. |
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| Authors: | HAN Jun FENG Lei XING Yan-hui DENG Jun XU Chen and SHEN Guang-di |
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| Institution: | College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China,College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China,College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China,College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China,College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China and College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) p-GaN double-crystal X-ray diffraction(DCXRD) atomic force microscopy(AFM) |
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