| 单电子晶体管(SET)及其应用 |
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| 引用本文： | 蔡理,马西奎.单电子晶体管(SET)及其应用[J].空军工程大学学报,2002,3(6):60-63. |
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| 作者姓名： | 蔡理 马西奎 |
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| 作者单位： | 空军工程大学工程学院，西安交通大学电气学院 陕西西安 710038，西安交通大学电气学院，陕西西安 710049，陕西西安 710049 |
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| 基金项目： | 陕西省自然科学基金资助项目(2002F34) |
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| 摘 要： | 当电子器件的尺寸接近纳米尺度时，量子效应对器件工作的影响变得格外重要，就需要采用具有新机理的晶体管结构，单电子晶体管（SET）就是其中一个典型的结构，文中对比传统晶体管（MOSFET）的工作原理，分析了单电子晶体管SET的工作机理，简要概述了SET的一些应用。
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| 关 键 词： | 单电子晶体管 SET 应用 纳米器件 量子效应 隧道效应 库仑阻塞现象 微电子学 |
| 文章编号： | 1009-3516(2002)06-0060-04 |
| 修稿时间： | 2002年7月26日 |
Single-electro Transistor (SET) and Its Application |
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| CAI Li,MA Xi-kui.Single-electro Transistor (SET) and Its Application[J].Journal of Air Force Engineering University(Natural Science Edition),2002,3(6):60-63. |
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| Authors: | CAI Li MA Xi-kui |
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| Institution: | 1.The Engineering Institute, Air Force Engineering University, Xi''an, Shaanxi 710038, China; 2. School of Electrical Engineering, Jiaotong University, Xi''an, Shaanxi 710049, China |
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| Abstract: | As electronic device dimensions approach nanometer scale, quantum effects become especially and increasingly important for device operation, and the transistor structure with new mechanism needs to be adopted. The single-electron transistor (SET) is a typical example of such a structure. In this paper, the operating principle of SETs is analyzed in contrast to that of the conventional transistors (MOSFET) and some applications of SETs are outlined simultaneously. |
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| Keywords: | single-electro transistor nanodevices quantum effects tunnel effect coulomb blockage |
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