| 立方氮化硼晶体的电学性质与电流控制微分负阻 |
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| 引用本文： | 窦庆萍,马海涛.立方氮化硼晶体的电学性质与电流控制微分负阻[J].中国科学(E辑),2008,38(11):1952-1957. |
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| 作者姓名： | 窦庆萍 马海涛 |
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| 作者单位： | ① 暨南大学珠海学院计算机系, 珠海 519070;
② 北京航天二院二十五所, 北京 100080 |
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| 基金项目： | 暨南大学珠海学院优秀人才科研基金项目(批准号: 510062)资助 |
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| 摘 要： | 研究了非故意掺杂的n型cBN晶体的电学性质．所研究的cBN晶体是由六角氮化硼在高温高压下以镁粉为催化剂转化而来．在室温下，测量了cBN晶体的伏安特性，为非线性伏安特性．当电场强度在10^5～1.5×10^5V／cm范围内时，cBN晶体发生电击穿．同时，cBN晶体发出波长为380～400nm的蓝紫光．继续测量cBN晶体伏安特性，发现cBN晶体出现电流控制型微分负阻．这些实验现象是可以重复的．
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| 关 键 词： | 非故意掺杂的n型cBN晶体 非线性伏安特性 电流控制微分负阻 |
| 收稿时间： | 2007-01-06 |
| 修稿时间： | 2007-06-25 |
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