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| 电化学法制备p型Cu2O半导体薄膜及其性能的表征 | |
| 引用本文： | 燕子鹏,蔡舒,武卫兵.电化学法制备p型Cu2O半导体薄膜及其性能的表征[J].西安交通大学学报,2011,45(3):121-124. |
| 作者姓名： | 燕子鹏 蔡舒 武卫兵 |
| 作者单位： | 1. 天津大学材料科学与工程学院,300072,天津;济南大学材料科学与工程学院,250022,济南 2. 天津大学材料科学与工程学院,300072,天津 3. 济南大学材料科学与工程学院,250022,济南 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 采用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上沉积出Cu2O薄膜的基础上,研究了络合剂种类、沉积电位和溶液pH值对Cu2O薄膜结构和性能的影响.结果表明:在以乳酸为络合剂的电解液中沉积出的Cu2O薄膜的晶粒尺寸比以三乙醇胺为络合剂的电解液中沉积出的薄膜晶粒尺寸大,结晶度好,致密度更高;在含有乳酸络合剂的溶液中,随沉积电位的提高,薄膜成核密度增大,晶粒尺寸减小,致密度提高;随pH值增加,制备的薄膜晶向由沿(200)取向变为沿(111)取向.经Mott-Schottky曲线和紫外-可见光透射光谱计算表明,所获得的Cu2O薄膜具有p型半导体性能,禁带宽度为1.93eV. |
| 关 键 词： | 氧化亚铜 电化学沉积 薄膜 |
Electrochemical Deposition and Characterization of Properties of p-Type Cu2O Film |
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| YAN Zipeng,CAI Shu,WU Weibing.Electrochemical Deposition and Characterization of Properties of p-Type Cu2O Film[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2011,45(3):121-124. | |
| Authors: | YAN Zipeng CAI Shu WU Weibing |
| Institution: | 1.School of Material Science and Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China;2.School of Material Science and Engineering,University of Jinan,Jinan 250022,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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