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超薄铁电膜的居里温度及表面效应(续)
引用本文:凌瑞良,聂鹏飞.超薄铁电膜的居里温度及表面效应(续)[J].苏州大学学报(医学版),2000,16(4):66-71.
作者姓名:凌瑞良  聂鹏飞
作者单位:[1]常熟高等专科学校教务处,江苏常熟215500 [2]南京大学物理系,江苏南京210093
摘    要:采用平均场理论下的横场Ising模型,得到同时考虑Ωs≠Ω,Js≠J情况下超薄铁电膜的居里温度表达式。利用所得出的居里温度表达式,分别计算了不同层数超薄铁电膜的居里温度与表面赝自旋相互作用和表面隧穿频率的关系,通过分析,得到一些新的由居里温度反映的表面效应信息。

关 键 词:超薄铁电膜  表面效应  横场Ising模型  居里温度  赝自旋相互作用  薄膜层数  表面隧穿频率

Curie temperature and surface effects of ultre-thin ferroelectric films(Ⅱ)
LING Rui-Liang,NIE Peng-fei.Curie temperature and surface effects of ultre-thin ferroelectric films(Ⅱ)[J].Journal of Suzhou University(Natural Science),2000,16(4):66-71.
Authors:LING Rui-Liang  NIE Peng-fei
Abstract:
Keywords:ultra-thin ferroelectric film  surface effect  transverse field Ising model  critical value  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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