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Sol-Gel法在不同衬底上制备的LaNiO_3导电薄膜的性能研究
引用本文:汪静,姚熹.Sol-Gel法在不同衬底上制备的LaNiO_3导电薄膜的性能研究[J].山东科技大学学报(自然科学版),2010,29(6).
作者姓名:汪静  姚熹
基金项目:山东科技大学科学研究"春蕾计划"项目
摘    要:采用溶胶凝胶法快速成膜工艺分别在Si(100),SiO2/Si,Pt/Ti/SiO2/Si不同基底上制备LaNiO3导电薄膜,并分别以LNO和Pt/Ti为基底制备PZT薄膜。通过XRD,AFM,EDS等测试手段对LNO导电薄膜的结构及组成进行表征,并通过XRD,介电性能的测试比较LNO/Si和Pt/Ti沉积PZT薄膜的性能。结果表明,在Si(100),Pt/Ti/SiO2/Si上制备的LaNiO3导电薄膜是赝立方结构,而在SiO2/Si衬底上是四方结构。在Si(100)上得到的LNO薄膜致密、平整,可以作为制备PZT薄膜的导电层。在LNO和Pt/Ti上制备的PZT薄膜均为钙钛矿结构,且PZT/LNO薄膜各衍射峰强度优于PZT/Pt/Ti;而介电性能方面,PZT/LNO较PZT/Pt/Ti稍差,100kHz时,PZT/LNO和PZT/Pt/Ti的介电常数和介电损耗分别为562,0.29;408,0.037。

关 键 词:溶胶凝胶法  LaNiO3薄膜  PZT薄膜  XRD  AFM  介电性能

Characterization of Conductive LaNiO3 Thin Films on Different Substrates by Sol-Gel
WANG Jing,YAO Xi.Characterization of Conductive LaNiO3 Thin Films on Different Substrates by Sol-Gel[J].Journal of Shandong Univ of Sci and Technol: Nat Sci,2010,29(6).
Authors:WANG Jing  YAO Xi
Abstract:
Keywords:
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