| 掺硫LEC-GaP单晶载流子的分布 |
| |
| 引用本文： | 林泉,马英俊,于洪国,许兴,马远飞,朱显超.掺硫LEC-GaP单晶载流子的分布[J].河北大学学报(自然科学版),2019,39(4). |
| |
| 作者姓名： | 林泉 马英俊 于洪国 许兴 马远飞 朱显超 |
| |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院有研光电新材料有限责任公司,北京,100088 |
| |
| 摘 要： | 采用高压液封直拉法生长2英寸N型掺硫GaP单晶,通过浮舟技术控制直径.按照理论公式计算出掺杂量,采用范德堡法测试掺硫GaP单晶头部、中部和尾部的载流子浓度.分析了固液界面形状对载流子分布的影响,在平坦的固液界面下得到的单晶载流子分布更为均匀.探讨了浮舟控径单晶横向和纵向载流子分布及其影响因素.比较和讨论了浮舟控径和无舟计算机闭环控径单晶纵向载流子分布,表明采用浮舟控制及工艺,造成晶体生长过程中分凝系数及补偿度的变化,使得晶体纵向载流子浓度先降低后升高,提出了通过变速拉晶,可以改善单晶纵向载流子均匀性.讨论了浮舟质量对载流子分布的影响,采用质量较大的浮舟生长GaP单晶,其纵向载流子分布更均匀.
|
| 关 键 词： | 高压液封直拉法 浮舟技术 范德堡法 载流子浓度分布 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
