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ZrC和ZrB2掺杂对PIT法制备MgB2带材的影响
引用本文:马衍伟,高召顺.ZrC和ZrB2掺杂对PIT法制备MgB2带材的影响[J].科学通报,2006,51(16):1958-1960.
作者姓名:马衍伟  高召顺
作者单位:中国科学院电工研究所,北京,100080
基金项目:感谢日本筑波国立材料研究所Kumakura H和Matsumoto A给予的帮助.本工作为国家自然科学基金(批准号:50472063)资助项目.
摘    要:采用ZrC和ZrB2掺杂在常压条件下制备了MgB2/Fe超导带材. 利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电测和磁测等手段, 重点研究了ZrC 和ZrB2掺杂对超导带材组织和性能的不同影响. 结果显示, ZrC掺杂导致带材临界电流密度的降低, 临界转变温度保持不变; ZrB2掺杂则显著提高了带材高场下的临界电流密度, 而临界转变温度略微下降了0.5 K. 实验结果表明, 采用ZrB2掺杂原位PIT技术可制备出具有高临界电流密度的MgB2带材.

关 键 词:MgB2  超导线材  粉末套管法  临界电流密度  掺杂
收稿时间:2005-12-12
修稿时间:2005-12-122006-04-13
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