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120keVH^+离子注入C60薄膜中的辐照效应
引用本文:朱圣星,姚江宏.120keVH^+离子注入C60薄膜中的辐照效应[J].重庆大学学报(自然科学版),2002,25(7):57-59.
作者姓名:朱圣星  姚江宏
作者单位:[1]重庆三峡学院电子工程系,重庆404000 [2]南开大学物理科学院,南开300071
摘    要:研究高能离子与C60晶体相互作用,是认识高能离子与凝聚态物理相互作基本规律和开发应用C60分子材料的基础,对实现C60分子掺杂以及这种材料开发应用都具有十分重要的意义,利用120keVH^ 离子注入C60薄膜,系统研究不同注入剂量对C60薄膜结构的影响,用Raman散射技术分析了H^ 离子在C60薄膜中引起的辐射效应,分析结果表明,H^ 离子辐照会影响C60薄膜结构,使C60薄膜产生聚合和薄膜非晶碳化现象,上述现象产生与辐照注入离子的辐射剂量有关,在整个辐照过程中电子能损起主导作用,电子能损有明显的退火效应,致使C60由晶态向非晶态转变过程中,经历了一个石墨化的中间过程,即晶态C60分子→石墨化→非晶碳这一过程。

关 键 词:离子注入  辐照效应  C60薄膜  退火效应  碳团簇  原子簇
文章编号:1000-582X(2002)07-0057-03
修稿时间:2002年1月28日

Irradiation Effect in C60 Films Induced by 120 keV H+ Ions
ZHU Sheng -xing,YAO Jiang -hong.Irradiation Effect in C60 Films Induced by 120 keV H+ Ions[J].Journal of Chongqing University(Natural Science Edition),2002,25(7):57-59.
Authors:ZHU Sheng -xing  YAO Jiang -hong
Institution:ZHU Sheng -xing 1,YAO Jiang -hong 2
Abstract:
Keywords:irradiation effect  C    60 film  annealing effect
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