| 多孔硅的电致发光操作模型研究 |
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| 引用本文： | 倪梦莹,韩玲玲,徐金东.多孔硅的电致发光操作模型研究[J].曲阜师范大学学报,2008,34(2):55-58. |
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| 作者姓名： | 倪梦莹 韩玲玲 徐金东 |
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| 作者单位： | 倪梦莹（曲阜师范大学物理工程学院,273165,曲阜市）;韩玲玲（胜利油田高级人材培训中心,257000,山东省东营市）;徐金东（曲阜师范大学物理工程学院,273165,曲阜市;北京师范大学信息科学与技术学院,100875,北京市） |
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| 摘 要： | 通过实验分别实现了固、液两种类型的多孔硅电致发光模型.根据液态下的化学反应,分析了"空穴消耗,电子注入"机制,解释了液态下电致发光的载流子产生和复合机制.利用固态模型的I-V特性曲线,分析了多孔硅发光二极管的载流子产生机制和发光机理.实验分析为进一步提高多孔硅电致发光效率,实现硅基光电集成打下基础.
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| 关 键 词： | 多孔硅 电致发光 载流子注入 量子限制效应 |
| 文章编号： | 1001-5337(2008)02-0055-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月4日 |
Study on Electroluminescence Operation of Porous Silicon |
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| NI Meng-ying,HAN Ling-ling,XU Jin-dong.Study on Electroluminescence Operation of Porous Silicon[J].Journal of Qufu Normal University(Natural Science),2008,34(2):55-58. |
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| Authors: | NI Meng-ying HAN Ling-ling XU Jin-dong |
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