| 直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计 |
| |
| 引用本文： | 张建立,黄美纯,李惠萍,朱梓忠.直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计[J].厦门大学学报(自然科学版),2003(3). |
| |
| 作者姓名： | 张建立 黄美纯 李惠萍 朱梓忠 |
| |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系，厦门大学物理学系，厦门大学物理学系，厦门大学物理学系 福建厦门3610005，福建厦门3610005，福建厦门3610005，福建厦门3610005 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10274064,60077029)资助 |
| |
| 摘 要： | Si基光发射材料由于它具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si属于间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.如何设计具有直接带隙硅基材料,备受实验研究工作者和材料设计理论工作者的关注.本文介绍一种新的硅基超晶格Ⅵ(A)/Sim/Ⅵ(B)/Sim/Ⅵ(A)的能带结构计算.在密度泛函理论框架内,采用混合基从头算赝势法模拟计算表明,其中Se/Si6/O/Si6/Se及Se/Si6/S/Si6/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征,其带隙处于红外波段.预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能,其制作也可较方便地与硅微电子工艺兼容.预计该材料在信息光电子领域将有强大的应用潜力.
|
| 关 键 词： | Si基光电材料 Si/Ⅵ超晶格 能带结构 理论计算 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
