| 基于MOS电容的压控振荡器设计 |
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| 引用本文： | 窦建华,张锋,吴玺.基于MOS电容的压控振荡器设计[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2006,29(6):721-724. |
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| 作者姓名： | 窦建华 张锋 吴玺 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学,计算机与信息学院,安徽,合肥,230009 |
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| 摘 要： | 传统的环形压控振荡器通常是利用控制电阻的方式来达到压控振荡的效果。文章利用容性耦合电流放大器作为压控振荡器的基本反馈单元,并在输出端增加MOS电容来控制振荡频率;分析了利用饱和区的MOS电容特性来实现压控的方法,并采用Smartspice软件和0.6μm CMOS工艺参数对该压控振荡器进行了模拟;结果表明,这种方法对电路的静态工作点影响很小,输出交流波形的频率稳定度高,有良好的线性调谐特性,达到了预期的效果。
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| 关 键 词： | 压控振荡器 环形振荡器 lMOS电容 正反馈 调谐范围 |
| 文章编号： | 1003-5060(2006)06-0721-04 |
| 修稿时间： | 2005年6月10日 |
Design of a voltage-controlled oscillator based on MOS capacitance |
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| DOU Jian-hua,ZHANG Feng,WU Xi.Design of a voltage-controlled oscillator based on MOS capacitance[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2006,29(6):721-724. |
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| Authors: | DOU Jian-hua ZHANG Feng WU Xi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | voltage-controlled oscillator ring-oscillator MOS capacitance positive-feedback tuning range |
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