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原子位置驰豫对ZnS(110)表面电子结构的影响
作者姓名:马丙现 贾瑜
摘    要:用总能量最小方法,确定了ZnS(110)表面的原子几何结构,得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果,利用格林函数的散射理论方法,计算了ZnS(110)表面的电子结构,在此基础上,讨论了晶格驰豫对表电子特性的影响。

关 键 词:驰豫 电子结构 原子位置驰豫 硫化锌 半导体
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