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| 电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性 | |
| 作者姓名： | 董友梅 戴培英 |
| 作者单位： | [1]郑州大学图书馆 [2]郑州大学物理工程学院 |
| 摘 要： | 本文研究了高阻（８０－１１０Ω．ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ＾＋ｎ结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时，等温退火特性，获得了５个缺陷能级，结果表明其中，Ｅ３，Ｅ４，能级是主要的复合中心。 |
| 关 键 词： | NTD硅 电子辐照 退火 硅 少数载流子寿命 缺陷态 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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