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| Mn掺杂GaN(100)薄膜第一性原理的研究 | |
| 引用本文： | 王吉霞,黄桂芹,陈广伟.Mn掺杂GaN(100)薄膜第一性原理的研究[J].南京师大学报,2011(2). |
| 作者姓名： | 王吉霞 黄桂芹 陈广伟 |
| 作者单位： | 南京师范大学物理科学与技术学院; |
| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基金(09KJB140004) |
| 摘 要： | 采用第一性原理计算了Mn掺杂GaN非极性(100)薄膜的原子和电子结构.结果表明弛豫后表层Ga原子向体内移动,与Ga原子成键的表层N原子向体外移动,表层Ga-N键长收缩并扭转.通过对Mn原子掺杂在不同层总能量的比较,发现GaN(100)薄膜中Mn原子更容易在表层掺杂.弛豫后,掺杂在表层的Mn原子及与Mn原子成键的表层N原子都向体内发生很小的移动,Mn-N键没有发生明显扭转,但是弛豫后N原子向Mn原子靠近,Mn-N键收缩.Mn原子的掺杂使得Mn3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,自旋向上的能带占据费米面.掺杂后的薄膜表现为半金属性,适合于自旋注入. |
| 关 键 词： | 稀磁半导体 薄膜 电子结构 几何结构 |
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