| 新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源 |
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| 引用本文： | 胡洪平,冯勇建.新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源[J].厦门大学学报(自然科学版),2006,45(6):789-791. |
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| 作者姓名： | 胡洪平 冯勇建 |
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| 作者单位： | 厦门大学机电工程系,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 运用带隙基准的原理,采用0.5 μm的CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)工艺,设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源.HSPICE仿真结果表明:电源电压VDD最低可达1.9 V,在温度-30～125℃范围内,电源电压VDD在1.9～5.5 V的条件下,输出基准电压VREF＝(1.225±0.001 5) V,温度系数为γTC＝14.75×10-6/℃,直流电源电压抑制比(PSRR)等于50 dB.在温度为25℃且电源电压为3 V的情况下功耗不到15 μW.整个带隙基准电压源具有良好的性能.
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| 关 键 词： | 带隙 基准电压源 启动电路 |
| 文章编号： | 0438-0479(2006)06-0789-03 |
| 收稿时间： | 02 20 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006年2月20日 |
A New-style Frame Super Performance CMOS Band-Gap Voltage Reference |
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| HU Hong-ping,FONG Yong-jian.A New-style Frame Super Performance CMOS Band-Gap Voltage Reference[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2006,45(6):789-791. |
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| Authors: | HU Hong-ping FONG Yong-jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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