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新型Si基毫米波VGCPW建模
引用本文:胡嘉杰,夏立诚,王文骐.新型Si基毫米波VGCPW建模[J].上海大学学报(自然科学版),2008,14(4):341-345.
作者姓名:胡嘉杰  夏立诚  王文骐
作者单位:上海大学 通信与信息工程学院,上海 200072
基金项目:上海市应用材料研究与发展项目
摘    要:基于Si基0.18μm标准CMOS工艺研究新型低损耗V型结构接地共面波导(VGCPW),用HFSS软件建立物理模型,进行三维电磁仿真,研究内部电磁场分布.采用ADS软件的传输线模型卡及其目标优化控件,建立适合于毫米波段CMOS 单片集成电路仿真和设计的新型低损耗VGCPW等效传输线模型.

关 键 词:CMOS  CPW建模  低损耗  毫米波  
收稿时间:2007-05-22

Novel Si-Based Millimeter-Wave VGCPW Modeling
HU Jia-jie,XIA Li-cheng,WANG Wen-qi.Novel Si-Based Millimeter-Wave VGCPW Modeling[J].Journal of Shanghai University(Natural Science),2008,14(4):341-345.
Authors:HU Jia-jie  XIA Li-cheng  WANG Wen-qi
Institution:School of Communication and Information Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China
Abstract:A novel low-loss transmission line structure VGCPW based on a Si substrate using the standard 0.18 μm CMOS process is presented. The 3D physical model of VGCPW is set up with HFSS, and the electromagnetic field distribution in the model analyzed. The equivalent transmission line model of VGCPW established with the TLINP, OPTIM, and GOAL tools in ADS can be used to simulate millimeter wave CMOS MMIC circuits.
Keywords:CMOS
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