| 非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究 |
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| 引用本文： | 叶天水 郭亨群. 非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究[J]. 华侨大学学报(自然科学版), 1990, 11(2): 135-141 |
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| 作者姓名： | 叶天水 郭亨群 |
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| 作者单位： | 华侨大学应用物理系，华侨大学应用物理系，华侨大学应用物理系 |
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| 摘 要： | 本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。
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| 关 键 词： | 非晶态 半导体 硒化镉 薄膜 控测器 |
A Study of Photoelectric Characteristics of Amorphous CdSe Film |
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| Ye Tianshui Guo Hengqun Zeng Jinchuan. A Study of Photoelectric Characteristics of Amorphous CdSe Film[J]. Journal of Huaqiao University(Natural Science), 1990, 11(2): 135-141 |
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| Authors: | Ye Tianshui Guo Hengqun Zeng Jinchuan |
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| Affiliation: | Ye Tianshui Guo Hengqun Zeng Jinchuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | non-crystalline semiconductor photoelectric characteristics ultrafast photoelectric detector |
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