S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响 |
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引用本文: | 黄保瑞,张富春,秦萍,杨延宁.S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响[J].甘肃科学学报,2018(5). |
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作者姓名: | 黄保瑞 张富春 秦萍 杨延宁 |
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作者单位: | 延安大学物理与电子信息学院 |
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摘 要: | 研究S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响,采用密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了存在S缺陷的单层MoS_2能带结构、态密度和光学性质。计算结果显示单层MoS_2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.765eV。S缺陷导致禁带中引入缺陷能级使带隙宽度减小,电子跃迁强度增加;S点缺陷使单层MoS_2的吸收率和反射率均有不同程度的降低,而S线缺陷使下降程度进一步加剧。在能量为8.93eV时,S缺陷对单层MoS_2的光学性质影响极低,对139nm波长的紫外光具有高透光率,成为制备紫外光光电子器件的优良材料。
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