LiNbO3/p^+n二极管声表面波存贮相关卷积器 |
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引用本文: | 张朝,水永安.LiNbO3/p^+n二极管声表面波存贮相关卷积器[J].中国科学(E辑),1997,27(5):437-443. |
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作者姓名: | 张朝 水永安 |
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作者单位: | 南京大学声学研究所,南京大学声学研究所,南京大学声学研究所 南京210093 中国科学技术大学电子工程与信息科学系,合肥 230027,南京210093,南京210093 |
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摘 要: | 对参量模式LiNbO3/p^+n二极管阵列结构的声表面波存贮相关卷积器进行了详细的理论分析,分析了计算各参量对相关输出的影响,包括参考信号,读信号和写信号的幅度,写信号持续时间及掺杂浓浓度。
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关 键 词: | 存贮相关卷积器 二极管阵列 声表面波 铌酸锂 |
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