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| 超低hFE温度系数晶体管研制 | |
| 引用本文： | 郑云光,郭维廉,等.超低hFE温度系数晶体管研制[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),1993(2):117-122. |
| 作者姓名： | 郑云光 郭维廉 |
| 作者单位： | 天津大学电子工程系 (郑云光，郭维廉)，天津大学电子工程系(申云琴) |
| 摘 要： | 采用poly-Si(n )/UTSiO2/n -Si/P-Si发射结构，研制出参数与常规晶体管相近，能长期稳定工作，在－55－100度温度范围内，hFE温度系数小于20％的硅晶体管。 |
| 关 键 词： | 电流增益 温度系数 晶体管 温度系统 |
THE FABRICATION OF THE SILICON BIPOLAR TRANSISTOR WITH SUPER LOW h_(FE) TEMPERATURE COEFFICIENT |
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| Zheng Yunguang Guo Weilian Shen Yunqin.THE FABRICATION OF THE SILICON BIPOLAR TRANSISTOR WITH SUPER LOW h_(FE) TEMPERATURE COEFFICIENT[J].Journal of Tianjin University(Science and Technology),1993(2):117-122. | |
| Authors: | Zheng Yunguang Guo Weilian Shen Yunqin |
| Institution: | Dept.of Electronic Engineering |
| Abstract: | |
| Keywords: | temperature property of current gain for transistors low temperature coefficient of hFE polysilicon emitter transistors low temperature transistors |
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