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用变分累积展开方法计算磁性薄膜的临界指数γ(L)与β(L)
引用本文:仁毅志,霍炳海,区镜添.用变分累积展开方法计算磁性薄膜的临界指数γ(L)与β(L)[J].南开大学学报,2000,33(2):68-72.
作者姓名:仁毅志  霍炳海  区镜添
作者单位:[1]南开大学物理学院,天津 [2]天津大学物理学系,天津
摘    要:Lin Douliang等人把变分累积开展(VCE)方法用于薄膜,计算了各种结构的磁性薄膜的临界温度。本文是文献〔1〕的继续,计算了L层磁性薄膜的临界指数γ(L)与β(L),计算结果一文献〔3 ̄5〕的实验结果符合。对于L=1(相当于2维)这一特征,我们的计算结果与精确解符合得相当好。

关 键 词:磁性薄膜  变分累积展开  临界指数  VCE
修稿时间:1999-05-17

CALCULATION OF CRITICAL EXPONENTS γ(L) AND β(L) FOR MAGNETIC THIN FILMS USING VARIATIONAL CUMULANT EXPANSION
Ren Yizhi,Huo Binghai,Ou Jingtian.CALCULATION OF CRITICAL EXPONENTS γ(L) AND β(L) FOR MAGNETIC THIN FILMS USING VARIATIONAL CUMULANT EXPANSION[J].Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis,2000,33(2):68-72.
Authors:Ren Yizhi  Huo Binghai  Ou Jingtian
Abstract:
Keywords:mangnetic films  variational cumulant expansion  critical exponent
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