| 一种高线性度的射频收发开关的设计 |
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| 引用本文： | 张顶平,戴庆元.一种高线性度的射频收发开关的设计[J].科学技术与工程,2011,11(31). |
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| 作者姓名： | 张顶平 戴庆元 |
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| 作者单位： | 上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米纳米加工技术国家级重点实验室,上海200240 |
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| 摘 要： | 基于0.18 μm射频锗硅工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统的低插入损耗和高线性度的射频开关电路.该电路利用特殊的深N阱工艺、高衬底电阻器件,采用经典的串并联堆叠结构开关电路,实现了低插入损耗和高线性度的目的.测试结果显示:在频率为2.4 GHz下,插入损耗,隔离度和1 dB压缩点分别为-1 dB,- 34 dBm和23 dBm.
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| 关 键 词： | 射频开关 三阱工艺 堆叠结构 高线性庹 |
| 收稿时间： | 8/9/2011 9:52:14 PM |
| 修稿时间： | 8/17/2011 9:04:55 AM |
The design of a high linearity performance T/R switch |
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| zhangdingping.The design of a high linearity performance T/R switch[J].Science Technology and Engineering,2011,11(31). |
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| Authors: | zhangdingping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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