| 极性晶体的生长习性 |
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| 作者姓名： | 李汶军 施尔畏 殷之文 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800 |
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| 摘 要： | 采用配位多面体生长习性法则研究了极性晶体ZnO ,ZnS和SiO2 的理论生长习性 .发现其正负极轴方向的生长速度不同 .ZnO晶体的理论习性为六方柱状 ,各晶面的生长速度为 :V〈0 0 0 1〉>V〈0 111〉>V〈0 110〉>V〈0 111〉>V〈0 0 0 1〉;ZnS晶体的理论习性为四面体 ,各晶面的生长速度为 :V〈111〉>V〈0 0 1〉=V〈10 0〉=V〈0 10〉>V〈111〉;SiO2 晶体的正负极轴方向的生长速度为V〈112 0〉>V〈112 0〉.此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好 .而PBC理论不能解释正负极轴方向生长速度的差异 .
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| 关 键 词： | ZnO晶体 ZnS晶体 SiO2晶体 生长习性 |
| 收稿时间： | 1999-04-05 |
| 修稿时间： | 1999-08-04 |
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