a—Si1—xNx:H光敏材料的研究 |
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引用本文: | 张志勇.a—Si1—xNx:H光敏材料的研究[J].西北大学学报,1995,25(3):205-207. |
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作者姓名: | 张志勇 |
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摘 要: | 讨论了用射频辉光放电装置制备的掺氮非晶硅光敏薄膜材料的光电特性。结果表明,合理地控制氮气(N2)与硅烷(SiH4)气体的流量比例以及其他有关的工艺参数,能够制备出暗电阻率,光、暗电导率比,光电性能稳定的a-Si1-xNx:H光敏薄膜材料。
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关 键 词: | 光敏材料 非晶硅 感光体 薄膜 光电性能 |
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