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| 厚度和掺杂对蛋托型石墨烯光电性质影响模拟研究 | |
| 引用本文： | 王铭键,谭振权,刘立钊.厚度和掺杂对蛋托型石墨烯光电性质影响模拟研究[J].大连理工大学学报,2023(1):1-7. |
| 作者姓名： | 王铭键 谭振权 刘立钊 |
| 作者单位： | 1. 大连理工大学化工学院;2. 大连理工大学物理学院 |
| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT21LK17)； |
| 摘 要： | 石墨烯因其独特的结构特点和优异的性能受到了人们的广泛关注.在合成与应用石墨烯的过程中，本征缺陷和杂原子的引入也会显著改变石墨烯的结构和性质，并且打开石墨烯的带隙，从而能够使其更好地应用于电子设备领域.通过构建一系列不同厚度的蛋托型石墨烯并对其进行掺杂，探究厚度和杂原子对其光电性质的影响.密度泛函理论计算结果表明，厚度和掺杂都可以实现蛋托型石墨烯导电性的调控，其中氮掺杂可以显著提高材料导电性，实现半导体到金属性的转变.同时，氮掺杂和硼掺杂会分别引起蛋托型石墨烯光吸收峰的蓝移和红移，实现光学检测. |
| 关 键 词： | 蛋托型石墨烯 掺杂 带隙 密度泛函理论 |