| (e,2e)反应中剩余电子的屏蔽效应对三重微分截面的影响 |
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| 引用本文： | 张穗萌.(e,2e)反应中剩余电子的屏蔽效应对三重微分截面的影响[J].皖西学院学报,1999(2). |
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| 作者姓名： | 张穗萌 |
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| 作者单位： | 六安师范专科学校物理系!安徽六安237012 |
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| 基金项目： | 安徽省高校中青年骨干教师资助基金项目 |
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| 摘 要： | 在考虑了He原子(e,2e)过程中,剩余电子对核的有效屏蔽之后,用修正后的BBK理论计算了入射能为40eV时,共面不对称几何条件下电子入射离化He原子的三重微分截面(TDCS).结果表明:该文得到的理论曲线更接近实验数据.
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| 关 键 词： | 屏蔽 修正 有效电荷 |
The Influence of the Shield Effect of the Residual Electron on the Triple Differential Cross Sections in (e, 2e) Processes |
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| Zhang Suimeng.The Influence of the Shield Effect of the Residual Electron on the Triple Differential Cross Sections in (e, 2e) Processes[J].Journal of Wanxi University,1999(2). |
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| Authors: | Zhang Suimeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | shield modification effective charge |
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