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| 水热条件下晶粒的聚集生长(Ⅱ): 氧化亚铜晶粒生长形态及其稳定能计算 | |
| 作者姓名： | 陈之战 施尔畏 元如林 郑燕青 李汶军 赵同荣 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(批准号: 59832080)和江西省自然科学基金资助项目(批准号: 0111015) |
| 摘 要： | 报道了水热法制备氧化亚铜晶粒的实验结果. 大部分晶粒呈长柱状, 间有长柱状晶粒沿某些特定方向联生而成的晶粒, 包括6个线度基本等长的柱状晶粒沿3个相互垂直的方向联生而成的晶粒, 锥面在柱体顶端显露. 这表明在晶粒的形成过程中, 发生了由于某些显露的晶面之间结构相容而使得晶粒取向连生为主要内涵的第2类聚集生长. 从氧化亚铜晶体结构出发, 选定了其生长基元的基本结构单元, 通过各类基元稳定能的计算, 确定正方柱状和三轴生长基元为有利生长基元. 第1类聚集生长在水热条件下晶粒生长过程普遍存在, 但是, 并不是所有的晶粒都能在水热条件下发生第2类聚集生长. 晶粒是否可发生第2类聚集生长取决于其自身的结构. |
| 关 键 词： | 聚集生长 氧化亚铜晶体 生长基元稳定能 水热法 |
| 收稿时间： | 2002-04-25 |
| 修稿时间： | 2003-02-14 |
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