| GaAs/AlAs异型异质结导带研究 |
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| 引用本文： | 李永平.GaAs/AlAs异型异质结导带研究[J].曲阜师范大学学报,2003,29(3):55-58. |
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| 作者姓名： | 李永平 |
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| 作者单位： | 曲阜师范大学物理系 273165，山东省曲阜市 |
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| 摘 要： | 利用泊松方程分析了异质结导带形状，通过数值模拟研究了GaAs/AlAs异型异质结在不同掺杂浓度下的导带图，确定了导带尖峰出现的位置和耗尽区宽度。
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| 关 键 词： | 半导体 GaAs／AlAs异型异质结 导带 掺杂浓度 尖峰位置 耗尽区 禁带宽度 pN结 |
| 文章编号： | 1001-5337(2003)03-0055-04 |
| 修稿时间： | 2003年2月18日 |
THE CONDUCTION BAND OF GaAs/AlAs HETEROJUNCTION |
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| LI Yong-ping.THE CONDUCTION BAND OF GaAs/AlAs HETEROJUNCTION[J].Journal of Qufu Normal University(Natural Science),2003,29(3):55-58. |
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| Authors: | LI Yong-ping |
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| Abstract: | The conduction band of heterojunction is analyzed by Possin equation. The conduction band edge profiles of GaAs/AlAs with various doping concentration are obtained by using numerical calculation, which indicates the peak position of the conduction band and the width of depletion region. |
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| Keywords: | GaAs/AlAs heterojunction conduction band doping concentration |
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