| 新型氧化物导电陶瓷的物理性质 |
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| 引用本文： | 石康源,彭贤柱,魏建平,陈洪玉.新型氧化物导电陶瓷的物理性质[J].华中科技大学学报(自然科学版),1996(3). |
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| 作者姓名： | 石康源 彭贤柱 魏建平 陈洪玉 |
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| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 |
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| 摘 要： | 以一氧化物为主要原料，掺以少量杂质，采用传统的电子陶瓷工艺制备了新型导电陶瓷．经检测表明：该导电陶瓷具有较优良的物理性质．其室温电阻率为０．０６８Ω·ｃｍ，密度为４．９６～５．４５ｇ／ｃｍ３，３０～２８０℃温度范围的平均比热为０．４５８Ｊ／ｇ·℃，１４～１０００℃时的平均线膨胀系数为５．８８５Ｘ１０－６℃－１，当跨距为１５ｍｍ时，其抗折强度（抗弯强度）的平均值为２５．２７５ＭＰａ，ＨＲＡ（洛氏）硬度的平均值为６３．０８．
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| 关 键 词： | 导电陶瓷 物理性质 比热 线膨胀系数 洛氏硬度 |
The Physical Properties of a New Type of Conductive Ceramics with Oxide |
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| Shi Kangyuan, Pen Xianzhu, Wei Jianping,Chen Hongyu.The Physical Properties of a New Type of Conductive Ceramics with Oxide[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1996(3). |
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| Authors: | Shi Kangyuan Pen Xianzhu Wei Jianping Chen Hongyu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | conductive ceramics physical properties specific heat linear expansion coefficient HRA |
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