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| 用背散射方法研究砷离子注入单晶硅的分布和热退火后的再分布 | |
| 引用本文： | 王大椿,朱光华,卢殿通,卢志恒,郑胜男,赵玉华.用背散射方法研究砷离子注入单晶硅的分布和热退火后的再分布[J].北京师范大学学报(自然科学版),1983(2). |
| 作者姓名： | 王大椿 朱光华 卢殿通 卢志恒 郑胜男 赵玉华 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所，北京师范大学低能核物理所，北京师范大学低能核物理所，北京师范大学低能核物理所，中国科学院原子能研究所，中国科学院原子能研究所 |
| 摘 要： | 与注磷相比,五价的砷元素作为施主杂质注入半导体材料硅中,具有许多独特的优点:(1)固溶度高;(2)投影射程小,可以得到较浅的p-n结;(3)有可能通过人为控制,使砷扩散后的浓度分布趋于对发射极有利的矩形分布;(4)引起的损伤较浅,只要适 |
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