|
|||||
|
|
| 电反射谱法研究N~+-p硅光电池第一及第二间接带隙 | |
| 引用本文： | 洪秀霞,陈坚令,吴伯僖.电反射谱法研究N~+-p硅光电池第一及第二间接带隙[J].厦门大学学报(自然科学版),1986(5). |
| 作者姓名： | 洪秀霞 陈坚令 吴伯僖 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系 (洪秀霞，陈坚令)，厦门大学物理学系(吴伯僖) |
| 摘 要： | 采用偏光电反射(ER)谱法测定室温下N~+P结Si间接光学带隙。实验数据表明,在1.05—1.90eV入射光能量之间存在两组ER结构。采用Aspnes等三点调整法计算带间能量,可初步断定:Si的第一间接跃迁(Γ25′—Δ_1)光学能隙为1.16eV;第二间接跃迁(Γ25′—L_1)光学能隙为1.61eV。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |