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| NaF薄膜的结构与应力分析 | |
| 引用本文： | 詹勇军,王锋,袁玉全,谌家军.NaF薄膜的结构与应力分析[J].重庆文理学院学报(自然科学版),2007,26(2):32-35. |
| 作者姓名： | 詹勇军 王锋 袁玉全 谌家军 |
| 作者单位： | 1. 西华师范大学,物理与电子信息学院,四川,南充,637002;中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900 2. 四川大学,原子与分子物理研究所,四川,成都,610065 3. 西华师范大学,物理与电子信息学院,四川,南充,637002;四川理工学院,物理系,四川,自贡,643000 4. 西华师范大学,物理与电子信息学院,四川,南充,637002 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积（PLD）法在Si（100）衬底上生长了NaF薄膜．分别用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的微观结构、表面形貌以及薄膜应力进行了表征与分析．AFM测试结果表明，低激光能量密度下制备的薄膜表面均匀、致密，均方根粗糙度（Rms）仅为0．538nm；XRD分析结果表明，用脉冲激光沉积方法制备的氟化钠薄膜在（222）晶面有明显的择优取向．应力分析薄膜的残余应力为压应力，应力大小随激光能量密度的增加而增加；XPS分析结果表明，热蒸发制备的NaF薄膜氧含量明显高于PLD方法制备的NaF薄膜的氧含量．热蒸发方法制备的薄膜中的氧含主要来源于水中的氧，PLD方法制备的薄膜中的氧主要来源于游离态氧，说明PLD方法制备的薄膜不容易潮解． |
| 关 键 词： | 脉冲激光沉积(PLD) NaF薄膜 X射线衍射(XRD) 择优生长 |
| 文章编号： | 1673-8012（2007）02-0032-04 |
| 收稿时间： | 2007-03-14 |
| 修稿时间： | 2007年3月14日 |
Analysis of Structure and Residual Stress of NaF Films |
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| ZHAN Yong-jun,WANG Feng,YUAN Yu-quan,CHEN Jia-jun.Analysis of Structure and Residual Stress of NaF Films[J].Journal of Chongqing University of Arts and Sciences,2007,26(2):32-35. | |
| Authors: | ZHAN Yong-jun WANG Feng YUAN Yu-quan CHEN Jia-jun |
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| Keywords: | |
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