| 氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线 |
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| 引用本文： | 薛成山.氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线[J].科学通报,2006,51(13):1500-1503. |
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| 作者姓名： | 薛成山 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南 250014 |
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| 基金项目： | 本工作为国家自然科学基金（批准号：90201025,90301002）资助项目. |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样品表面, 显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射. 另外, 简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 氮化镓纳米线 光致发光 |
| 收稿时间： | 2005-10-04 |
| 修稿时间： | 2005-10-042006-05-09 |
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