| 霍尔效应与新材料的发展 |
| |
| 引用本文： | 申莉华,周本胡,谭尚书.霍尔效应与新材料的发展[J].邵阳学院学报(自然科学版),2014(1):21-24. |
| |
| 作者姓名： | 申莉华 周本胡 谭尚书 |
| |
| 作者单位： | [1]邵阳学院理学与信息科学系,湖南邵阳422000 [2]邵阳学院后勤中心,湖南邵阳422000 |
| |
| 基金项目： | 湖南省教育厅资助项目（12C0873） |
| |
| 摘 要： | 介绍了经典霍尔效应、量子霍尔效应和反常量子霍尔效应,以及在石墨烯、拓扑绝缘体等纳米新材料发展过程中的应用.
|
| 关 键 词： | 霍尔效应 量子霍尔效应 半导体 纳米材料 石墨烯 拓扑绝缘体 |
Hall Effect and New Materials Development |
| |
| SHEN Li-hua,ZHOU Ben-hu,TAN Shang-shu.Hall Effect and New Materials Development[J].Journal of Shaoyang University:Science and Technology,2014(1):21-24. |
| |
| Authors: | SHEN Li-hua ZHOU Ben-hu TAN Shang-shu |
| |
| Institution: | 2 ( 1. Deparment of Science and Information Science, Shaoyang University, Shaoyang, Hunan 422000, China; 2. Logistics Center, Shaoyang University, Shaoyang , Hunan 422000, China, ) |
| |
| Abstract: | Introduces the application of the classic Hall Effect, quantual Hall Effect and the anomalous quantum Hall Effect in the process of development of graphene, topological insulators and nanostructured materials. |
| |
| Keywords: | classic Hall Effect quantum Hall Effect nanomaterials graphene topological insulator |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
