|
|||||
|
|
| 应用于直接数字频率合成器的6-GHz GaAs HBT只读存储器 | |
| 作者姓名： | 陈建武 王丽 吴旦昱 陈高鹏 金智 刘新宇 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所;中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室; |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB327505) |
| 摘 要： | 只读存储器广泛应用于直接数字频率合成器的相位幅度转换电路. 通过对只读存储器建立等效模型, 分析如何减少存取时间, 提高直接数字频率合成器的工作频率.并对仿真波形出现信号偏差现象进行分析, 以指导电路设计. 设计的64×3 bit 只读存储器集成到8 bit 直接数字频率合成器中. 测试结果表明只读存储器最高工作在6 GHz, 可有效提高直接数字频率合成器的无杂散动态范围. |
| 关 键 词： | 只读存储器 双极型存储器 直接数字合成器 直接数字频率合成器 砷化镓 异质结双极型晶体管 |
| 收稿时间： | 2011-01-27 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《科学通报》下载全文 | |