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| Al2O3 绝缘栅SiC MIS 结构基本特性的研究 | |
| 作者姓名： | 刘莉 杨银堂 马晓华 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室;西安电子科技大学技术物理学院; |
| 基金项目： | 西安电子科技大学2010年校内基本科研业务费资助项目(K50510250008) |
| 摘 要： | 采用原子层淀积(ALD)方法在4H-SiC(0001)8°N-/N+外延层上制备了超薄(~4 nm)Al2O3 绝缘栅高介电常数SiC MIS 电容. 通过对Al2O3 介质膜以及Al2O3/SiC 界面微结构和电学特性 分析表明, 实验所得Al2O3 介质膜具有较好的体特性和界面特性, Al2O3 薄膜的击穿电场为25 MV/cm, 并且在可以接受的界面态密度(2×1013 cm-2)下具有较小的栅泄漏电流(8 MV/cm 电场 下漏电流密度为1×10-3 A/cm-2). 电流-电压测试分析表明, 在FN 隧穿条件下, SiC/Al2O3 之间的 势垒高度为1.4 eV, 已达到制作SiC MISFET 器件的要求. 同时, 在整个栅压区域也受 Frenkel-Poole 和Schottky 机制的共同影响. |
| 关 键 词： | Al2O3 SiC MIS 电容 栅泄漏电流 C-V 特性 |
| 收稿时间： | 2010-12-03 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |