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| 电子温度对SiGeHBT基区渡越时间的影响 | |
| 引用本文： | 李蕊,杨双健,王宗满,彭波,陈海俊.电子温度对SiGeHBT基区渡越时间的影响[J].重庆工商大学学报(自然科学版),2009,23(12):176-178. |
| 作者姓名： | 李蕊 杨双健 王宗满 彭波 陈海俊 |
| 作者单位： | 重庆理工大学数理学院,重庆400054r |
| 摘 要： | 讨论了采用能量传输模型时的SiGeHBT基区电子温度分布，以及电子温度对基区渡越时间的影响．计算结果表明：基区电子温度呈现明显的不均匀分布，从发射极侧到集电极侧逐渐增大；电子温度分布主要由基区Ge分布决定，而基区掺杂对电子温度的影响不大．考虑基区电子温度分布时基区渡越时间减小，在较大的Ge分布梯度下，电子温度对基区渡越时间的影响不可忽略． |
| 关 键 词： | SiGe HBT 电子温度 基区渡越时间 |
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