|
|||||
|
|
| Ga9-nAsn（n=0-9）系列团簇能量和稳定性的研究 | |
| 引用本文： | 姜科,刘乔升,杨建宋.Ga9-nAsn（n=0-9）系列团簇能量和稳定性的研究[J].杭州师范大学学报(自然科学版),2013(6):517-523. |
| 作者姓名： | 姜科 刘乔升 杨建宋 |
| 作者单位： | [1]杭州师范大学经亨颐学院,浙江杭州311121 [2]杭州师范大学理学院,浙江杭州310036 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（11274084）. |
| 摘 要： | 采用基于第一性原理的ADF程序，对Ga9-nAsn（n=0-9）系列团簇的基态结构、能量、稳定性和电离能等物理性质进行了系统的计算和分析．结果表明，随着n的增加，团簇的结合能将呈线性增加，电离能在5．5和7eV左右波动，亲和能在2．5～3eV波动，电离能明显大于亲和能．在n=5和n=6附近，Ga9-nAsn（n=0-9）团簇的稳定性最高． |
| 关 键 词： | 砷化镓团簇 基态结构 稳定性 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |