| AlCl_3-NH_3-N_2体系化学气相淀积AIN超细粒子 Ⅰ.AIN合成过程的机理 |
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| 引用本文： | 李春忠,姚光辉,胡黎明,袁渭康,陈敏恒.AlCl_3-NH_3-N_2体系化学气相淀积AIN超细粒子 Ⅰ.AIN合成过程的机理[J].华东理工大学学报(自然科学版),1992(4). |
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| 作者姓名： | 李春忠 姚光辉 胡黎明 袁渭康 陈敏恒 |
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| 作者单位： | 华东化工学院技术化学物理研究室国家重点固定床反应工程实验室
(李春忠，姚光辉，胡黎明，袁渭康)，华东化工学院技术化学物理研究室国家重点固定床反应工程实验室(陈敏恒) |
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| 摘 要： | 利用化学气相淀积(CVD)技术,在700～1000℃下合成了AlN超细粒子,研究了操作参数对粒子特性和AlN薄膜生长规律的影响。AlN超细粒子表面形态和反应温度、AlCl_3浓度等有关,其粒度及分布宽度随反应温度的升高、AlCl_3浓度减小和总流量增加而减小,AlN薄膜生长速率随反应温度的减小和总流量的增加而增大。在AlCl_3和NH_3的CVD反应中出现中间产物Al(NH_2)_3和Al_2(NH)_3,它们促使了粒子的形成和薄膜的生长。
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| 关 键 词： | 化学气相淀积 合成 机理 氮化铝 超细粒子 |
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