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| 基于化合物半导体材料高速光开关的研究 | |
| 作者姓名： | 王明华 戚伟 余辉 江晓清 杨建义 |
| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程学系, 杭州 310027 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目资助(批准号: 60436020) |
| 摘 要： | 高速光开关及光开关阵列是全光交换的核心器件. 首先给出全内反射型光波导光开关器件的理论分析模型, 并基于GaAs材料中的载流子注入效应, 采用GaAs-AlGaAs双异质结结构, 研制了工作波长在1.55 µm的X结全内反射型和马赫曾德干涉型两种结构的光开关. 测试结果表明, 开关的消光比均超过20 dB, 开关速度达到10 ns量级. |
| 关 键 词： | 光开关 全内反射 多模干涉 载流子注入 |
| 收稿时间： | 2008-09-12 |
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