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基于RC网络集成电路的多晶硅薄膜电阻工艺优化
引用本文:万鹏程,刘世龙,孙芳魁.基于RC网络集成电路的多晶硅薄膜电阻工艺优化[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2008,24(5).
作者姓名:万鹏程  刘世龙  孙芳魁
作者单位:1. 哈尔滨学院
2. 哈尔滨工业大学
基金项目:黑龙江省教育厅科学技术研究项目  
摘    要:介绍基于RC1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法,并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式.利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜,可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率,再利用POCl3进行高温掺杂2],得到优化的电阻率,灵活改变各种参数,可使电阻的精度优于5%.

关 键 词:多晶硅  RC网络  掺杂工艺  薄膜电阻

OPTIMIZATION PROCESS OF POLY-SILICON THIN-FILM RESISTOR IN RC NETWORK IC
Wan Pengcheng,Liu Shilong,Sun Fangkui.OPTIMIZATION PROCESS OF POLY-SILICON THIN-FILM RESISTOR IN RC NETWORK IC[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2008,24(5).
Authors:Wan Pengcheng  Liu Shilong  Sun Fangkui
Abstract:
Keywords:
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