| 砷化镓材料技术发展及需求 |
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| 引用本文： | 周春锋,兰天平,孙强.砷化镓材料技术发展及需求[J].天津科技,2015(3):11-15. |
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| 作者姓名： | 周春锋 兰天平 孙强 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
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| 摘 要： | 介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见,成晶情况可控,可生长大尺寸、长单晶;其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。VB/VGF法生长出的单晶位错密度和残留应力比LEC法低,晶体等径好,适合规模生产;其缺点在于容易产生双晶、线性缺陷和花晶,过于依赖生长系统重复性和稳定性。
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| 关 键 词： | 砷化镓 单晶生长 HB LEC VB VGF |
GaAs Materials: A Review of Technological Development and Market Demands |
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| ZHOU Chunfeng;LAN Tianping;SUN Qiang.GaAs Materials: A Review of Technological Development and Market Demands[J].Tianjin Science & Technology,2015(3):11-15. |
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| Authors: | ZHOU Chunfeng;LAN Tianping;SUN Qiang |
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| Institution: | ZHOU Chunfeng;LAN Tianping;SUN Qiang;No.46 Research Institute of China Electronic Group Corporation; |
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