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氟化非晶碳氢薄膜的红外结构及其电学特性
引用本文:狄小莲,辛煜,黄松.氟化非晶碳氢薄膜的红外结构及其电学特性[J].苏州大学学报(医学版),2003,19(4):68-73.
作者姓名:狄小莲  辛煜  黄松
作者单位:苏州大学物理科学与技术学院,苏州大学物理科学与技术学院,苏州大学物理科学与技术学院 江苏苏州 215006,江苏苏州 215006,江苏苏州 215006
基金项目:江苏省薄膜材料重点实验室资助项目(T2108102)
摘    要:通过感应耦合等离子体(ICP)化学气相沉积方法并利用C4F8和H2的混合气体制备了氟化非晶碳氢(a C:F,H)薄膜.使用红外光谱仪分析了薄膜的结构.研究了金属Al/a C:F、H/SiMIS结构在不同环境光和不同频率下的电容 电压(C V)特性.红外结果表明,在800cm~1800cm-1和2700~3100cm-1的波数范围内,薄膜存在大量的C——C、C—F和C—H的振动结构.从薄膜的C V曲线的计算结果表明,薄膜当中的缺陷电荷约为1.07×1010cm-2,这些电荷主要局域在C——C双键周围 同时,由于界面陷阱电荷的存在,使得C V曲线随着测试频率的增加向负偏置方向偏移.

关 键 词:氟化非晶碳氢薄膜  红外分析  薄膜结构  电学特性  C-V曲线  介电常数  感应耦合等离子体化学气相沉积法
文章编号:1000-2073(2003)04-0068-06
修稿时间:2003年5月20日

Infrared structure and electrical characteristics of the fluorinated amorphous hydrocarbon film
Abstract:
Keywords:fluorinated amorphous hydrocarbon film  Fourier-Transform Infrared Spectroscopy  C-V curve
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