| 基于LDMOS电容的振荡器设计 |
| |
| 引用本文： | 黄维海,戴宇杰,张小兴,吕英杰,王洪来.基于LDMOS电容的振荡器设计[J].南开大学学报,2009,42(1). |
| |
| 作者姓名： | 黄维海 戴宇杰 张小兴 吕英杰 王洪来 |
| |
| 作者单位： | 南开大学微电子研究所,天津,300457
|
| |
| 摘 要： | 基于0.5μm CMOS工艺,考虑面积、功耗和工作状态中电容容值等因素,采用LDMOS电容来实现高精度频率的振荡器.一般的CMOS电容特性是非单调变化的,而LDMOS电容只工作在积累区和耗尽区,电容特性可近似理想电容.仿真和测试结果表明,在电源电压1.5～5 V大范围变动的情况下,振荡频率稳定性高,达到设计预期效果.在给电容充电用的静态电流只有40 nA的低电流条件下,振荡器模块中电容的版图面积只有65 μm×65 μm,而且LDMOS工艺和CMOS工艺兼容,可以在不增加工艺复杂度的前提下,用较小的版图面积产生高精度时钟信号.
|
| 关 键 词： | 电容 振荡器 CMOS工艺 |
Design of an Oscillator Based on LDMOS Capacitance |
| |
| Huang Weihai,Dai Yujie,Zhang Xiaoxing,Wang Honglai.Design of an Oscillator Based on LDMOS Capacitance[J].Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis,2009,42(1). |
| |
| Authors: | Huang Weihai Dai Yujie Zhang Xiaoxing Wang Honglai |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LDMOS |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
