| CdCl_2热处理对CdS/CdTe界面扩散和界面反应的影响研究 |
| |
| 引用本文： | 侯泽荣,万磊,白治中,王德亮.CdCl_2热处理对CdS/CdTe界面扩散和界面反应的影响研究[J].中国科学技术大学学报,2010,40(7). |
| |
| 作者姓名： | 侯泽荣 万磊 白治中 王德亮 |
| |
| 作者单位： | 中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室,安徽合肥,230026 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院太阳能行动计划 |
| |
| 摘 要： | 采用在CdTe薄膜太阳能电池结构Glass/FTO/CdS/CdTe基础上制备的Glass/FTO/CdS/CdTe/CdS体系,通过XRD,SEM,Raman,XPS研究了不同温度CdCl2空气热处理对CdS/CdTe界面互扩散、界面反应和重结晶过程的影响.研究表明,样品的表面形貌在不同温度热处理后有剧烈的差异,经300～350℃热处理后,CdS晶粒从室温时的20nm迅速增大至70nm左右,这与CdS从立方相到六方相的相变温度符合.CdS/CdTe界面在350℃左右就开始比较明显地互扩散,550℃时界面已生成具有六方纤锌矿结构的CdS0.85Te0.15.CdS因与CdTe的相互扩散并生成CdSxTe1-x而被迅速消耗.450℃以上CdS/CdTe界面部分被氧化生成CdTeO3.拉曼光谱中CdS的1LO峰在350℃左右由强变弱同时向低波数移动表明开始生成CdSxTe1-x.光电子能谱验证了CdSxTe1-x和CdTeO3在热处理过程中的形成.CdCl2防止了界面的氧化和促进了CdS/CdTe界面扩散以及CdSxTe1-x的生成.
|
| 关 键 词： | 界面扩散 CdTe太阳能电池 |
Effect of CdCl2 annealing treatment on interdiffusion and reaction at the CdS/CdTe interface |
| |
| HOU Zerong,WAN Lei,BAI Zhizhong,WANG Deliang.Effect of CdCl2 annealing treatment on interdiffusion and reaction at the CdS/CdTe interface[J].Journal of University of Science and Technology of China,2010,40(7). |
| |
| Authors: | HOU Zerong WAN Lei BAI Zhizhong WANG Deliang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CdS CdTe CdSxTe1-x |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
